BSZ160N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSZ160N10NS3GATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.65 |
10+ | $1.487 |
100+ | $1.1949 |
500+ | $0.9817 |
1000+ | $0.8134 |
2000+ | $0.7573 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TSDSON-8 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta), 40A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSZ160 |
BSZ160N10NS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSZ160N10NS3GATMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSZ160N10NS3GATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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